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    100CR X射線(xiàn)光譜儀探測(cè)器

    簡(jiǎn)要描述:100CR X射線(xiàn)光譜儀探測(cè)器
    尺寸:3.75*1.75*1.13in(9.5*4.4*2.9cm)(mm)
    電池種類(lèi):鋰電池
    測(cè)量精度:1ev
    電源電壓:5V(V)
    用途:X射線(xiàn)光譜儀
    探測(cè)器:SiPIN
    重量:139克
    鈹窗面積:5 mm2到25 mm2
    能量分辨率:5.9kev55Fe
    半峰寬:145eV到230eV(取決于探測(cè)器種類(lèi)和形成時(shí)間常數(shù))

    • 產(chǎn)品型號(hào):
    • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
    • 更新時(shí)間:2025-05-28
    • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:3076
    詳細(xì)介紹
    交易條件 供應(yīng)能力
    zui小起訂量: 1 個(gè) 生產(chǎn)率: 100
    包裝: 紙盒加軟綿
    交貨期限: 10

     
    光譜儀探測(cè)器
    美國(guó)AMPTEK/XR-100CR/XR-100CR是一種新的高性能X射線(xiàn)探測(cè)器,包括前置放大器和制冷系統(tǒng),通過(guò)熱電法冷卻的Si-PIN光電二極管作為X射線(xiàn)探測(cè)器。在二級(jí)制冷系統(tǒng)上還裝有輸入場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)新型的反饋電路。這些組件大約-55的環(huán)境下工作,其溫度由一個(gè)內(nèi)置的溫度傳感器控制。探測(cè)器的密封TO-8包裝有一個(gè)缽薄膜窗口,用于軟X射線(xiàn)探測(cè)。XR-100T-CdTe 代表在X-射線(xiàn)探測(cè)器技術(shù)的一個(gè)突破,可提供"現(xiàn)成的"結(jié)果,而以前則只能從昂貴的低溫冷卻系統(tǒng)得到。另外XR-100T-CdTe還適用于伽馬射線(xiàn)的測(cè)量。XR-100CR硅PIN探測(cè)器/XR-100SDD硅漂移X射線(xiàn)探測(cè)器/XR-100T碲化鎘X射線(xiàn)和伽馬射線(xiàn)探測(cè)器/X-123SIN/X-123SDD/X-123CdTe型X射線(xiàn)光譜儀/多道處理器/閃爍體探測(cè)器
     X射線(xiàn)熒光
     ROHS/WEEE標(biāo)準(zhǔn)
     便攜式儀器
     原始設(shè)備制造
     核醫(yī)學(xué)成像
     教學(xué)研究文物考古
     程控
     穆斯堡爾譜儀
     空間物理和天文學(xué)
     環(huán)境X射線(xiàn)檢測(cè)
     有毒物垃圾場(chǎng)監(jiān)測(cè)
     粒子誘發(fā)X射線(xiàn)熒光分析
     XR-100CR
        ◇149eV的分辨率,全固態(tài)無(wú)液氮設(shè)計(jì)
        ◇SI-PIN光敏二極管,二級(jí)熱電冷卻器
        ◇內(nèi)置溫度控制監(jiān)測(cè)檢測(cè)器,密封的鈹檢測(cè)窗
        ◇檢測(cè)范圍廣,操作簡(jiǎn)單
     XR-100SDD
        ◇高計(jì)數(shù)率——5000,000 CPS
        ◇對(duì)峰值5.9keV的分辨率為139eV
        ◇High Peak-to-Background Ratio - 6500:1
        ◇規(guī)格為:7 mm2 * 500 µm
        ◇無(wú)液氮
     XR-100CdTe
        ◇CdTe二極管探測(cè)器,熱電冷卻器(Peltier)
        ◇FET冷卻
        ◇鈹檢測(cè)窗,密封包裝(TO-8)
     AXAS 系統(tǒng)
        AXAS系統(tǒng)集成了記錄計(jì)數(shù)率在1.000.000 計(jì)數(shù)/s以上的超快MCA和SDD (硅漂泊二極管)。利用MCDWIN MCA 軟件,AXASMCA可以成為非常小的*分光計(jì),從而使獲取光譜變得很容易。它還可以通過(guò)USB接口讀取數(shù)據(jù),因此該系統(tǒng)可以通過(guò)便攜式計(jì)算機(jī)在任何地點(diǎn)工作。
    &#61548; 
    100CR X射線(xiàn)光譜儀探測(cè)器詳細(xì)參數(shù)
    探測(cè)器類(lèi)型:硅針探測(cè)器(Si-PIN)
    探測(cè)器尺寸:5 mm2---25 mm2
    硅厚度:300µm,500µm,680µm
    能量分辨率(5.9kev,55Fe):半峰寬145eV-230eV(取決于探測(cè)器種類(lèi)和形成時(shí)間常數(shù))
    背景記數(shù):<3*10-3/s,2KeV-150KeV(針對(duì)7mm2/300um探測(cè)器)
    探測(cè)器鈹窗厚度:1mil(25µm)或0.5mil(12.5µm)
    電荷敏感前置放大器:用戶(hù)定制設(shè)計(jì)
    增益穩(wěn)定性:<20PPM/(典型)
    尺寸:3.75*1.75*1.13in(9.5*4.4*2.9cm)
    重量:139克
    總功率:<1瓦
    器件壽命:5-10年
    操作環(huán)境:0-40
    認(rèn)證:TUV
    前置放大器功率:正負(fù)8-9V,15mV(不超過(guò)50mV的蜂噪音)
    探測(cè)器功率: 100V-200V,1µA(取決與探測(cè)器類(lèi)型),非常穩(wěn)定,偏差<0.1%
    制冷器功率:電流zui大值為350mA,電壓zui大值為4V(峰噪音<100mV,)
    前置放大器靈敏度:典型值1mV/KeV(對(duì)于不同的探測(cè)器可能有差異)
    前置放大器極性:負(fù)信號(hào)輸出(zui大負(fù)載1K歐姆)
    前置放大器反饋:通過(guò)探測(cè)器電容進(jìn)行重置
    溫度靈敏度:PX4通過(guò)軟件直接讀取開(kāi)爾文溫度

     

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